NOR、NAND、EEPROM 和 FRAM 应该怎样选？
NOR 支持随机读/XIP、擦除块较大，适合代码；NAND 容量密度高但需坏块、ECC 和 FTL；EEPROM 可小粒度改写但容量与速度有限；FRAM 写入快、耐久高但成本和容量受限。选择取决于容量、写频率、掉电一致性和成本。
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NOR 支持随机读/XIP、擦除块较大，适合代码；NAND 容量密度高但需坏块、ECC 和 FTL；EEPROM 可小粒度改写但容量与速度有限；FRAM 写入快、耐久高但成本和容量受限。选择取决于容量、写频率、掉电一致性和成本。
内存映射模式让 CPU 像读地址空间一样访问外部 NOR，但随机访问受指令/数据 Cache、Dummy Cycle、总线宽度和器件唤醒影响。擦写期间通常不能正常读取同一芯片，执行代码还需处理模式切换和故障恢复。
RS-485 适合主干加短支线，长星形分支会产生反射；终端电阻放在总线两端匹配差分阻抗，偏置保证空闲态，参考地或隔离用于控制共模范围。节点数、线长和速率共同决定裕量。
先确认时钟源、负载电容、PCB 泄漏和实际 ppm，温度和晶体容差会累积成日误差。具备平滑校准的 RTC 可周期性增减脉冲；备份域还要处理首次初始化、掉电保持和跨版本数据。
从设备除 CPOL/CPHA 外还规定 CS 到首个时钟的建立时间、末个时钟后的保持时间、连续字之间间隔及一次事务中 CS 是否允许抬高。控制器自动 NSS、DMA 和 FIFO 可能改变这些细节。